光電電位器

光電電位器是一種非接觸式電位器。它用光束代替一般電位器上的活動觸點--電刷。圖3-83是一種電阻型光電電位器的原理結構圖。電阻型光電電位器主要由電阻體。光電導層和導電電極等組成。光電電位器的制作過程是：先在基體上沉積一層硫化鎘或硒化鎘的光導電層，然后在我導電層上再沉積一條電阻體和一條導電電極。在電阻體和導電電極之間留有一個狹窄的間隙。平時無光照時。電阻體和導電電極之間由于光電導層阻值很大而呈絕緣狀態。當光束照射部位和導電電極導通，于是光電電位器的輸出端便有電壓輸出，輸出電壓的大小與光束位移照射到的位置有關，從而實現了將光束位移換為電壓輸出，輸出電壓的大小與光束位移照射到的位置有關，從而實現了將光束位移換為電壓信號輸出。

除了電阻型光電電位器外，還有一種結型光電電位器，它是利用由半導體制成的二極管取代光敏材料制成的。在一塊高阻硅單晶片上，用擴散，外延，光刻等技術形成兩條反型區，它們都同基片PN結。其中一條為電阻帶，在它的兩端施加電壓；另一條沉積導電層作為集流電極。當無光照時，兩個反型區均處于反偏狀態，阻值很大呈絕緣狀態；當有光照照射在電阻帶和集流電極間時，兩個PN結對基片有漏電流，在負載上可得到輸出電壓。結型光電電位器可通過光刻控制條型區的寬度，以得到不同的輸出特性。

光電電位器最大的優點是它屬于非接觸型電位器，不存在磨損問題，也不存在任何摩擦力矩，從而有效地提高了電位器的精度，分辨力，可靠性及使用壽命。 上還的這些優點是其他電位器所無法比擬的，因而在許多重要場合都得到了應用。

光電電位器的不足之處是阻值范圍不大，溫度第數較大。電阻型光電電位器的溫度系數在-22℃~+70℃范圍內便高達0.001~0.01/℃