光耦，即光電耦合器。
結構：一般4腳的光耦，輸入端跨接的是一只led，輸出端跨接的是一只光敏三級管，led和光敏三級管是被密封在一個封裝中的。
原理：當在輸入端加一正向導通電壓，led發光，光敏三級管受光照，發射結導通，三級管相當于開關。此“開關”的通斷由輸入端決定。
在光電耦合器輸入端加電信號使發光源發光，光的強度取決于激勵電流的大小，此光照射到封裝在一起的受光器上后，因光電效應而產生了光電流，由受光器輸出端引出，這樣就實現了電一光一電的轉換。
基本工作特性（以光敏三極管為例）
1、共模抑制比很高
在光電耦合器內部，由于發光管和受光器之間的耦合電容很小（2pF以內）所以共模輸入電壓通過極間耦合電容對輸出電流的影響很小，因而共模抑制比很高。
2、輸出特性
光電耦合器的輸出特性是指在一定的發光電流IF下，光敏管所加偏置電壓VCE與輸出電流IC之間的關系，當IF=0時，發光二極管不發光，此時的光敏晶體管集電極輸出電流稱為暗電流，一般很小。當IF>0時，在一定的IF作用下，所對應的IC基本上與VCE無關。IC與IF之間的變化成線性關系，用半導體管特性圖示儀測出的光電耦合器的輸出特性與普通晶體三極管輸出特性相似。其測試連線如圖2，圖中D、C、E三根線分別對應B、C、E極，接在儀器插座上。
3、隔離特性
1．入出間隔離電壓Vio（Isolation Voltage）
光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。
2．入出間隔離電容Cio（Isolation Capacitance）：
光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值
3．入出間隔離電阻Rio：（Isolation Resistance）
半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
4、傳輸特性：
1．電流傳輸比光電耦合器CTR（Current Transfer Radio）
輸出管的工作電壓為規定值時，輸出電流和發光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
2．上升時間Tr （Rise Time）& 下降時間Tf（Fall Time）
在規定工作條件下，發光二極管輸入規定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應的脈沖波，從輸出脈沖前沿幅度的10%到90%，所需時間為脈沖上升時間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時間為脈沖下降時間tf。
其它參數諸如工作溫度、耗散功率等不再一一敷述。
5、光電耦合器可作為線性耦合器使用。
在發光二極管上提供一個偏置電流，再把信號電壓通過電阻耦合到發光二極管上，這樣光電晶體管接收到的是在偏置電流上增、減變化的光信號，其輸出電流將隨輸入的信號電壓作線性變化。光電耦合器也可工作于開關狀態，傳輸脈沖信號。在傳輸脈沖信號時，輸入信號和輸出信號之間存在一定的延遲時間，不同結構的光電耦合器輸入、輸出延遲時間相差很大。
優點：隔斷輸入端（控制電路）與輸出端（被控制電路），避免被控制電路在工作時電壓的抖動對控制端造成影響。

 光耦的基本參數

   圖中的光耦內部結構由基本的三部分組成：發光二級管、透光絕緣層、光電三極管。通過發光二極管發光，穿透絕緣層到光電轉換三極管，實現電流的傳輸、隔離特性。

 
    從圖中可以看出，光耦的主要參數有：
    1、電流傳輸比CTR：，發光管的電流和光敏三極管的電流比的最小值。
    2、絕緣耐壓(透光絕緣層)：指光耦保護相關電路及自身免受高壓導致的物理損壞能力。
    3、LED的驅動電流IF：采用高效率的LED和高增益的接收放大器，可以降低驅動電流的IF，同時較小的IF電流可以降低系統的功耗，并且降低LED的衰減，提供系統長期的可靠性。
    4、共模抑制比VCM：指在每微秒光耦能容許的最大共模電壓上升、下降率。這個參數主要在工業電機應用中至關重要。例如電機的啟動或者制動過程中都會帶來極大的共模噪聲。