晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片），石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

　　 （一）

　　如圖所示是由A1的三個(gè)門(mén)、四個(gè)電阻、調(diào)諧電容和一塊晶體所構(gòu)成簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路。 晶體振蕩電路 　　在圖中，其中A1和晶體諧振子SJT及電容組成4069kHz的方波信號(hào)。將開(kāi)關(guān)置1點(diǎn)，送至A2，經(jīng)A2的二分頻后，獲得2048kHz振蕩信號(hào)；將開(kāi)關(guān)置于3點(diǎn)，送至A3，經(jīng)A3的二分頻后，獲得128kHz振蕩信號(hào)。調(diào)諧電容C1和C2，可使頻率準(zhǔn)確的調(diào)諧在中心頻率上。　　由晶體SJT連接在A1的輸入和輸出端之間，用以提供反饋回路，在晶體的基頻上

　　在圖中，其中A1和晶體諧振子SJT及電容組成4069kHz的方波信號(hào)。將開(kāi)關(guān)置1點(diǎn)，送至A2，經(jīng)A2的二分頻后，獲得2048kHz振蕩信號(hào)；將開(kāi)關(guān)置于3點(diǎn)，送至A3，經(jīng)A3的二分頻后，獲得128kHz振蕩信號(hào)。調(diào)諧電容C1和C2，可使頻率準(zhǔn)確的調(diào)諧在中心頻率上。

　　由晶體SJT連接在A1的輸入和輸出端之間，用以提供反饋回路，在晶體的基頻上產(chǎn)生振蕩。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（二）

　　極管TV2進(jìn)行信號(hào)放大，經(jīng)電容C8耦合輸出。其中，電阻RI、R2和電阻R5、R6、R7是三極管VT1和VT2的直流偏置元件。L2是高頻扼流線圈，給振蕩管VT1的集電極電流提供一個(gè)直流通路。C2為隔直電容。C3、C7是交流旁路電容，使VT1的發(fā)射極處于交流零電位，但直流電位不為零。電感L1，電容C6，電阻R3為改善電源濾波電路，其作用是減少紋波電壓以振高直流分量。略調(diào)電容C4、C8，可以改變耦合信號(hào)的大小。

　　1.元器件選擇

　　電容C1為20p，C2為100p，C3、C7為820p，C4為56p，C5、C8為47p，C6為47u/50V。電感L1為22uH（色碼電感），L2為0.3uH。電阻R1為1.6kΩ，R2為1kΩ，R3為750Ω，R4為180Ω、1W，R5為1.3kΩ，R6為3kΩ，R7為360Ω，R8為470Ω，R9—R12為300Ω、2W。三極管VT1、VT2選3DG82B，65≤β≤115。晶體SJT用JA9B型－70MHz。繼電器KM為JUC-1M。

　　2.使用時(shí)應(yīng)注意

　　（1）在應(yīng)用石英晶體時(shí)，有一個(gè)必須注意的實(shí)際問(wèn)題，這就是晶體本身的

　　激勵(lì)功率。激勵(lì)功率較大時(shí)，輸出功率也大，這時(shí)，晶體三極管引入的噪聲影響不大。但是，晶體激勵(lì)功率過(guò)大會(huì)使晶體長(zhǎng)期穩(wěn)定性（老化特性）變壞。晶體激勵(lì)功率小時(shí)，長(zhǎng)期穩(wěn)定性較好，但是使用低噪聲晶體三極管較佳。

　　（2）由于晶體頻率受溫度影響很大，為保證對(duì)晶體頻率穩(wěn)定度的要求，必

　　須注意晶體恒溫。即將晶體放在恒溫槽內(nèi)，由恒溫控制電路來(lái)保證恒溫槽內(nèi)的溫度使其維持在晶體的拐點(diǎn)溫度。因此，為使振蕩頻率和震蕩幅度穩(wěn)定，將晶體SJT和VT1、VT2放入恒溫箱內(nèi)。恒溫箱是用R9－R12四只2W金屬膜電阻加熱，一只小型密封溫度繼電器KM作溫度控制元件。箱內(nèi)溫度在+55℃（所用晶體的拐點(diǎn)溫度一般在+60±5℃）。為減小恒溫箱的體積，其電路中的元器件盡可能選其體積越小越好。如箱內(nèi)溫度高于+55℃時(shí)，KM－1.2觸點(diǎn)斷開(kāi)；如≤+55℃時(shí)，KM－1.2觸點(diǎn)閉合，以保證箱內(nèi)溫度溫定在+55℃。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（三）

　　該電路振蕩頻率范圍為100kHz－5MHz。工作特性由源極電阻確定。利用微調(diào)電容可以調(diào)節(jié)頻率。輸出電阻較高，后接一個(gè)源極跟隨器作隔離器則可以客服這一缺點(diǎn)。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（四）

　　這個(gè)簡(jiǎn)單又廉價(jià)的晶體振蕩器由74LS04的兩個(gè)門(mén)及外圍元件組成，電路如圖3所示：

　　電阻R1和R2將兩個(gè)反相器F1、F2偏置在線性范圍內(nèi)，并由晶體SJT提供反饋回路，其在晶體的基頻上產(chǎn)生20MHz振蕩頻率，然后由反相器F3送至由74LS74構(gòu)成的D型觸發(fā)器進(jìn)行分頻。若要進(jìn)行二分頻或四分頻、八分頻等，則需遵循2n分頻規(guī)律（n為級(jí)數(shù)）。n=1，則21=2分頻，即將20MHz經(jīng)A1＝分頻電路后，Q1輸出10MHz；若四分頻，n=2，則22=4分頻， 即將20MHz經(jīng)A1、A2四分頻電路后，Q2輸出5MHz；若進(jìn)行三分頻，當(dāng)f第三個(gè)脈沖過(guò)后，Q1=1，Q2=1，這時(shí)Q1¯=0， Q2¯=0，或非門(mén)HF1輸出為1，至R端復(fù)位，將Q1、Q2復(fù)位為00，結(jié)果經(jīng)A1、A2三分頻后，Q2輸出約6.7MHz；若需五分頻，當(dāng)計(jì)數(shù)為5時(shí)，Q1Q2Q3=101，即Q1¯=0， Q3¯=0， 或非門(mén)HF2輸出為1， 將Q1、Q2、Q3復(fù)位為000，結(jié)果Q3輸出4MHz頻率。

　　明確輸出狀態(tài)由D決定，而輸出狀態(tài)的翻轉(zhuǎn)則由CP來(lái)控制這一點(diǎn)，則可產(chǎn)生多種適合自己需要的頻率。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（五）

　　采用運(yùn)算放大器的晶體振蕩器電路。此電路采用761運(yùn)算放大器，輸出脈沖頻率可達(dá)10MHz。2kΩ電阻用來(lái)作運(yùn)算放大器輸出級(jí)集電極開(kāi)路的負(fù)載。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（六）

　　帶石英晶體振蕩器的無(wú)線電收音機(jī)電路。該電路頻率可致27MHz。中頻為455kHz。為了增大接受功率，這里采用了場(chǎng)效應(yīng)晶體管前置級(jí)。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（七）

　　頻率至2MHz的石英晶體振蕩器電路

　　圖（a）和（b）示出兩個(gè)2MHz振蕩器基本電路。根據(jù)電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)試驗(yàn)調(diào)整可以確定出其最佳工作點(diǎn)。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（八）

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體瞥石英晶體振蕩器電路

　　該振蕩器以51MHz（17MHz 3次諧波）晶體工作。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，漏—門(mén)極間電容可選取0.5—1.8pF。L2匝數(shù)約為L(zhǎng)1的20%。通過(guò)470Ω源極電阻可以改變振蕩特性。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（九）

　　采用“與非”門(mén)的30MHs石英晶體振蕩器電路

　　該電路由TTL集成電路（745000）構(gòu)成。利用石英晶體頻率的3次諧波工作。振蕩性能靠精確選擇47pF電容（10—100pF）來(lái)保證。輸出電壓約3.5V（峰—峰值）。

　　簡(jiǎn)單的晶體振蕩器電路圖大全（十）

　　采用“與非”門(mén)的石英晶體振蕩器電路

　　該電路采用兩個(gè)7400TTL“與非”門(mén)，振蕩頻率可達(dá)10MHz。兩個(gè)820Ω電阻必須根據(jù)所選取的振蕩頻率精心調(diào)整確定。