級(jí)聯(lián)放大器是一個(gè)兩級(jí)電路由緩沖放大器的跨導(dǎo)放大器組成。從那句“級(jí)聯(lián)”級(jí)聯(lián)“字起源陰極”。該電路有很多優(yōu)勢(shì)，在單級(jí)放大器一樣，更好的輸入輸出隔離，更好的收益，提高帶寬，更高的輸入阻抗，輸出阻抗高，穩(wěn)定性更好，更高的壓擺率等帶寬的增加背后的原因是減少米勒效果。級(jí)聯(lián)放大器一般構(gòu)造使用FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管），BJT（雙極晶體管）。一個(gè)階段將在共同的源/共發(fā)射極模式通常有線和有線其他階段將在共同的基礎(chǔ)/共發(fā)射極模式。

米勒效應(yīng)。

米勒效應(yīng)實(shí)際上是漏源寄生電容的電壓增益的乘積。漏源寄生電容總是降低帶寬的形勢(shì)進(jìn)一步惡化的電壓增益時(shí)，它就會(huì)成倍增加。雜散電容mulitiplication增加了有效的輸入電容和放大器，因?yàn)槲覀冎�道，在輸入電容的增加提高頻率低切，這意味著減少帶寬。米勒效應(yīng)可減少加在放大器的輸出電流緩沖級(jí)，或加入之前，輸入電壓的緩沖階段。

FET級(jí)聯(lián)放大器。

 

FET共源共柵放大器

上面顯示了一個(gè)典型的共源共柵FET放大器的電路圖。電路的輸入級(jí)是FET的共源放大器和輸入電壓（Vin）應(yīng)用于其門。輸出級(jí)是一個(gè)FET共柵放大器輸入級(jí)驅(qū)動(dòng)。路是輸出級(jí)的漏極電阻。從Q2的漏極輸出電壓（Vout）。由于Q2的柵極接地，場(chǎng)效應(yīng)管Q2的電壓源和場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極電壓幾乎不變。這意味著上FET Q2提供了一個(gè)較低的FET Q1的低輸入阻抗。這減少了較低的FET Q1的增益和米勒效應(yīng)也因此被減少，這在增加帶寬的結(jié)果。在較低的FET Q1的增益減少不影響整體的增益，因?yàn)樯喜繄?chǎng)效應(yīng)管Q2的補(bǔ)償。上部FET Q2被米勒效應(yīng)的影響，因?yàn)槁┰吹碾s散電容的充電和放電通過漏極電阻和負(fù)載和頻率響應(yīng)，如果只為高頻率的影響（遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過音頻范圍內(nèi)） 。

在疊接的配置，輸入輸出分離。第一季度，??在漏極和源終端幾乎恒定的電壓，而第二季度有其源極和柵極端子電壓幾乎不變，幾乎沒有什么養(yǎng)活輸出輸入。在電壓方面的重要性，只有點(diǎn)的輸入和輸出端子，他們是由中央連接恒壓分離。

實(shí)際級(jí)聯(lián)放大器電路。

 

實(shí)際級(jí)聯(lián)放大器電路

一個(gè)實(shí)用的級(jí)聯(lián)放大器電路的基礎(chǔ)上場(chǎng)效應(yīng)管上面顯示。場(chǎng)效應(yīng)管Q2的電阻R4和R5組成一個(gè)分壓器偏置網(wǎng)絡(luò)。R3是Q2的漏電阻和漏電流限制。R2是Q1的源電阻和C1是由通電容。R1確保在Q1的柵極在零電壓零信號(hào)條件。