IGBT管好壞的檢測方法

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，避免影響檢測的準確度；然后用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對于正常的IGBT管（正常G-E兩極與G-c兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極管的IGBT管正常時，e-C極間均有4kΩ正向電阻），上述所測值均為無窮大；最后用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3.5kΩ左右，則所測管為含阻尼二極管的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極管。對于數字萬用表，正常情況下，IGBT管的e-C極間正向壓降約為0.5V。

內含阻尼二極管的IGBT管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。

如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際工作中IGBT管多為擊穿損壞。

功率模塊的好壞判斷主要是對功率模塊內的續流兩極管的判斷。

對于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發電壓的情況下能否導通和關斷。

逆變器IGBT模塊檢測： 將數字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反用二極管特性，來判斷IGBT模塊是否完好。

以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。

IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞變頻調速系統在異步電機確定后，通常應根據異步電機的額定參數或根據電機實際的運行參數來選擇變頻器。

實踐中發現，對變頻器額定電流的選擇應給予高度的重視。選擇變頻器如果只考慮容量不考慮電流，極易造成變頻器的燒毀。因此，計算變頻器容量時必須留有適當的余地。

通常要求變頻器的額定電流：≥（1.05～1.1）IN（1）或I變≥（1.05～1.1）IMAX （2）式中

I變----變頻器的額定電流

IN----電機的額定電流

IMAX----電機實際運行中的最大電流

按容量選擇時，則變頻器容量：P變≥1.732&TImes;KINUN10-3 （KVA）（3）

式中

IN----電機額定電流

UN----電機額定電壓

K----安全系數，一般選取（1.05～1.1）

例如，選擇的電機的額定電壓UN=380V，額定電流IN=7.2A。

根據式（1），變頻器額定電流選取：

I變≥1.1IN=1.1&TImes;7.2=7.92（A）

根據式（3）變頻器容量選取：

P變≥1.732&TImes;1.05&TImes;7.2×380×10-3=4.98（KVA）

根據以上計算，變頻器可選取功率≥5KVA，額定電流≥8A的變頻器。

判斷極性

將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，將黑表筆固定接在某一電極上，另一表筆（紅表筆）分別接其它 兩只管腳，若阻值均為無窮大，對調用紅表筆固定接在這一電極（原黑表筆接的那只管腳）上，另一表筆（黑表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，則固定不動的那只表筆接的那只管腳為柵極。其余兩 極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為漏極（D）；黑表筆接的為源極（S）。

判斷好壞

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同 樣也可以用于檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。